FinFETs using reverse substrate layer with improved gate capacitance characteristics for subthreshold application
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhong J(钟健); Luo J(罗军) ; Wu H(吴昊); Zhu HL(朱慧珑); Yin HZ(尹海洲); Zhao C(赵超); Wei X(魏星)
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| 刊名 | Solid-state electronic
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| 出版日期 | 2015-02-01 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-05-31 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/15069]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhong J,Luo J,Wu H,et al. FinFETs using reverse substrate layer with improved gate capacitance characteristics for subthreshold application[J]. Solid-state electronic,2015. |
| APA | Zhong J.,Luo J.,Wu H.,Zhu HL.,Yin HZ.,...&Wei X.(2015).FinFETs using reverse substrate layer with improved gate capacitance characteristics for subthreshold application.Solid-state electronic. |
| MLA | Zhong J,et al."FinFETs using reverse substrate layer with improved gate capacitance characteristics for subthreshold application".Solid-state electronic (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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