CMOS-Compatible Top-Down Fabrication of Periodic SiO2 Nanostructures using a Single Mask
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yan J(闫江) ; Meng LK(孟令款); Gao JF(高建峰); He XB(贺晓彬); Li JJ(李俊杰); Wei YY(韦亚一)
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| 刊名 | Nanoscale Research Letters
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| 出版日期 | 2015-08-26 |
| 公开日期 | 2016-05-31 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/15087]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yan J,Meng LK,Gao JF,et al. CMOS-Compatible Top-Down Fabrication of Periodic SiO2 Nanostructures using a Single Mask[J]. Nanoscale Research Letters,2015. |
| APA | Yan J,Meng LK,Gao JF,He XB,Li JJ,&Wei YY.(2015).CMOS-Compatible Top-Down Fabrication of Periodic SiO2 Nanostructures using a Single Mask.Nanoscale Research Letters. |
| MLA | Yan J,et al."CMOS-Compatible Top-Down Fabrication of Periodic SiO2 Nanostructures using a Single Mask".Nanoscale Research Letters (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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