Effects of carbon pre-germanidation implant into Ge on the thermal stability of NiGe films
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu QB(刘庆波); Ke XX(柯星星); Guo YL(郭奕栾); Zhao C(赵超) ; Wang GL(王桂磊); Luo J(罗军)
|
| 刊名 | Microelectronic engineering
 |
| 出版日期 | 2015-03-04 |
| 公开日期 | 2016-05-31 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/15091]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu QB,Ke XX,Guo YL,et al. Effects of carbon pre-germanidation implant into Ge on the thermal stability of NiGe films[J]. Microelectronic engineering,2015. |
| APA | Liu QB,Ke XX,Guo YL,Zhao C,Wang GL,&Luo J.(2015).Effects of carbon pre-germanidation implant into Ge on the thermal stability of NiGe films.Microelectronic engineering. |
| MLA | Liu QB,et al."Effects of carbon pre-germanidation implant into Ge on the thermal stability of NiGe films".Microelectronic engineering (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。