Simulation and characterization of stress in FinFETs using novel LKMC and nanobeam diffraction methods
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang GL(王桂磊) ; Guo YL(郭奕栾); Zhao C(赵超); Luo J(罗军)
|
| 刊名 | Journal of Semiconductors
 |
| 出版日期 | 2015-09-12 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-05-31 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/15095]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang GL,Guo YL,Zhao C,et al. Simulation and characterization of stress in FinFETs using novel LKMC and nanobeam diffraction methods[J]. Journal of Semiconductors,2015. |
| APA | Wang GL,Guo YL,Zhao C,&Luo J.(2015).Simulation and characterization of stress in FinFETs using novel LKMC and nanobeam diffraction methods.Journal of Semiconductors. |
| MLA | Wang GL,et al."Simulation and characterization of stress in FinFETs using novel LKMC and nanobeam diffraction methods".Journal of Semiconductors (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。