半导体器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 殷华湘 ; 罗军; 赵超; 刘洪刚; 陈大鹏
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| 发表日期 | 2015-09-09 |
| 专利号 | CN201110339415.8 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体衬底上的沟道区，所述沟道区包括量子阱结构；位于沟道区两侧的源极区和漏极区；沟道区上的栅极结构；其中，所述沟道区、源极区和漏极区的材料的能带互不相同；在源极区与沟道区之间存在隧穿势垒结构 |
| 公开日期 | 2013-05-08 |
| 申请日期 | 2011-11-01 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15602]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 殷华湘,罗军,赵超,等. 半导体器件及其制造方法. CN201110339415.8. 2015-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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