Niu Pt1 － u Siv Ge1 － v /Si0. 72 Ge0. 28界面形貌的改善
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨鹏鹏; 张青竹; 刘庆波; 吴次南; 闫江; 徐烨峰 |
| 刊名 | 半导体制造技术
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| 出版日期 | 2015 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 英文摘要 | 针对锗硅在形成金属锗硅化物时存在部分应力释放、界面形貌特性变差的问题，提出了在Si0. 72Ge0. 28上分别外延薄硅( Si) 覆盖层和锗硅( Si0. 72Ge0. 28) 缓冲层的工艺方案。实验结果表明，通过两步快速热退火，两个方案的工艺条件都能形成低阻的Niu Pt1 － u Siv Ge1 － v和改善NiuPt1 － uSivGe1 － v / Si0. 72Ge0. 28的界面形貌。但相比较而言，在Si0. 72Ge0. 28上外延10 nm Si 覆盖层的方案能够形成更好的NiuPt1 － uSivGe1 － v /Si0. 72Ge0. 28界面形貌。与没有改进的方案相比，该方案形成的肖特基接触更具有更低的肖特基接触势垒高度，更易形成欧姆接触。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16069]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨鹏鹏,张青竹,刘庆波,等. Niu Pt1 － u Siv Ge1 － v /Si0. 72 Ge0. 28界面形貌的改善[J]. 半导体制造技术,2015. |
| APA | 杨鹏鹏,张青竹,刘庆波,吴次南,闫江,&徐烨峰.(2015).Niu Pt1 － u Siv Ge1 － v /Si0. 72 Ge0. 28界面形貌的改善.半导体制造技术. |
| MLA | 杨鹏鹏,et al."Niu Pt1 － u Siv Ge1 － v /Si0. 72 Ge0. 28界面形貌的改善".半导体制造技术 (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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