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FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin
文献类型：会议论文
| 作者 | Wu ZH(吴振华) ; Luo J(罗军); Meng LK(孟令款); Zhang QZ(张青竹); Li YD(李昱东); Zhang YB(张严波); Yang H(杨红); Zhang YK(张永奎); Qin ZL(秦长亮); Li JJ(李俊杰)
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| 出版日期 | 2016-12-01 |
| 文献子类 | 会议论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16336]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wu ZH,Luo J,Meng LK,et al. FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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