一种高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在衬底上形成第一半导体层；在第一半导体层上栅极位置处形成栅极介质层；在第一半导体层上栅极位置之外的区域形成第二半导体层，以在栅极位置处形成凹槽；在凹槽两侧的第二半导体层上形成源极和漏极；以及在栅极介质层上形成栅极。通过以上方法可以降低沟道中二维电子气的浓度，提高高电子迁移率晶体管正向阈值电压，并增强器件对噪声的抗干扰能力。