双金属栅极CMOS器件及其制造方法
文献类型:专利
作者 | 殷华湘![]() ![]() |
发表日期 | 2016-07-05 |
专利号 | US9384986 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 美国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | A method for manufacturing a dual metal CMOS device comprising: forming a first type metal work function modulation layer in the first gate trench and the second gate trench; forming a second type work function metal diffusion source layer in the first gate trench and the second gate trench; forming a heat isolation layer that shields the region of the first type device; and thermally annealing the regions where the first type device and the second type device are located. |
公开日期 | 2013-10-31 |
申请日期 | 2012-05-17 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16687] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 殷华湘,付作振,徐秋霞,等. 双金属栅极CMOS器件及其制造方法. US9384986. 2016-07-05. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。