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双金属栅极CMOS器件及其制造方法

文献类型:专利

作者殷华湘; 付作振; 徐秋霞; 陈大鹏
发表日期2016-07-05
专利号US9384986
著作权人中国科学院微电子研究所
国家美国
文献子类发明专利
英文摘要

A method for manufacturing a dual metal CMOS device comprising: forming a first type metal work function modulation layer in the first gate trench and the second gate trench; forming a second type work function metal diffusion source layer in the first gate trench and the second gate trench; forming a heat isolation layer that shields the region of the first type device; and thermally annealing the regions where the first type device and the second type device are located.

公开日期2013-10-31
申请日期2012-05-17
语种中文
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/16687]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
殷华湘,付作振,徐秋霞,等. 双金属栅极CMOS器件及其制造方法. US9384986. 2016-07-05.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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