本发明提供了一种提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法，包括以下步骤：在衬底上形成特征；在特征之间形成第一介质隔离层；平坦化第一介质隔离层，直至暴露特征，使得特征之间的第一介质隔离层具有凹陷深度；在特征以及介质隔离层上形成第二介质隔离层，降低特征之间与特征顶部第二介质隔离层的高度差；平坦化第二介质隔离层，直至暴露特征。依照本发明的提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法，在研磨特征顶部的介质隔离层之后再次形成介质隔离层，使得特征之间与特征顶部介质层高度差有效降低，并补偿了特征的凹陷，有效提高了晶圆芯片内部的均匀性。