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高K/金属栅器件的正栅压温度不稳定特性(PBTI)及对覆盖层氮化钛的依赖性研究

文献类型:学位论文

作者祁路伟
答辩日期2016-05
文献子类硕士
授予单位中国科学院大学
导师王文武
学位专业电子与通信工程
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/16937]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
祁路伟. 高K/金属栅器件的正栅压温度不稳定特性(PBTI)及对覆盖层氮化钛的依赖性研究[D]. 中国科学院大学. 2016.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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