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纳米级CMOS器件应力金属栅工程及结构优化研究

文献类型:学位论文

作者付作振
答辩日期2013-05
文献子类硕士
授予单位中国科学院大学
导师殷华湘 ; 叶甜春 ; 陈大鹏
学位专业微电子学与固体电子学
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/17225]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
付作振. 纳米级CMOS器件应力金属栅工程及结构优化研究[D]. 中国科学院大学. 2013.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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