本发明提供了一种高电子迁移率晶体管及其制造方法。该高电子迁移率晶体管的制造方法包括：在衬底上形成半导体层；在半导体层中形成凹槽；在凹槽底部形成介质层；在半导体层的表面上形成源极和漏极；以及在介质层上形成栅极。通过以上方法可以降低沟道中二维电子气的浓度，提高高电子迁移率晶体管正向阈值电压，并增强器件对噪声的抗干扰能力。