平坦化处理方法
文献类型：专利
| 作者 | 邓坚; 朱慧珑 ; 罗军; 李春龙; 赵超
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| 发表日期 | 2017-03-01 |
| 专利号 | CN201210505359.5 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本申请公开了一种平坦化处理方法。一示例方法可以包括：在材料层中对于溅射的负载条件较高的区域中形成沟槽；以及对材料层进行溅射，以使材料层平坦。 |
| 公开日期 | 2014-06-11 |
| 申请日期 | 2012-11-30 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17806]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邓坚,朱慧珑,罗军,等. 平坦化处理方法. CN201210505359.5. 2017-03-01. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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