半导体器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 张珂珂; 朱慧珑; 尹海洲 |
| 发表日期 | 2012-07-03 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成T型伪栅极结构；去除T型伪栅极结构，留下T型栅极沟槽；在T型栅极沟槽中填充金属层，形成T型金属栅极结构。依照本发明的半导体器件制造方法，通过形成T型伪栅极以及T型栅极沟槽，避免了后续金属栅极填充工艺中的悬挂现象以及孔洞形成，提高了器件性能。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17855]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张珂珂,朱慧珑,尹海洲. 半导体器件及其制造方法. 2012-07-03. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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