本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。根据一示例，半导体器件可以包括：半导体层；半导体基体，位于半导体层上，所述半导体基体包括延伸穿过该半导体基体的空腔；源极和漏极，在半导体层上形成，且分别接于半导体基体的相对的第一侧面和第二侧面；栅极，分别接于半导体基体的相对的第三侧面和第四侧面。