半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 袁烽 ; 殷华湘; 贾云丛; 陈大鹏
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| 发表日期 | 2017-07-21 |
| 专利号 | CN201410812116.5 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种半导体X线探测器及其制造方法，将PIN接触层过孔之于像素单元的侧边，可以减少铟柱(包括UBM粘附层)封装工艺对PIN二极管器件电学特性的影响，避免金属钉刺现象，减少漏电流；同时，侧边接触结构可以降低PIN接触层过孔对后继的铟柱成球工艺的不利影响；另外，侧边接触减小了金属接触面积，从而降低了金属漏电。 |
| 公开日期 | 2016-07-20 |
| 申请日期 | 2014-12-22 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17868]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁烽,殷华湘,贾云丛,等. 半导体器件. CN201410812116.5. 2017-07-21. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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