本发明提供了一种降低二维晶体材料接触电阻的方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有二维晶体材料层；在所述二维晶体材料层上形成图案化的掩膜层；在掩膜层及二维晶体材料层上形成接触材料层；进行离子注入；去除掩膜层及其上的接触材料层；进行热退火工艺。本发明不需要额外增加掩膜版和刻蚀工艺，自对准实现二维晶体材料层接触电阻的调整，有效降低了二维晶体材料与接触材料的接触电阻。