Thermal annealing effects on the stress stability in silicon dioxide films grown by plasma enhanced chemical vapor deposition
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen DP(陈大鹏) ; Fu JY(傅剑宇); Shang HP(尚海平); Wang WB(王玮冰); Li ZG(李志刚)
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| 刊名 | Microsystem Technologies
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| 出版日期 | 2017-07-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17985]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen DP,Fu JY,Shang HP,et al. Thermal annealing effects on the stress stability in silicon dioxide films grown by plasma enhanced chemical vapor deposition[J]. Microsystem Technologies,2017. |
| APA | Chen DP,Fu JY,Shang HP,Wang WB,&Li ZG.(2017).Thermal annealing effects on the stress stability in silicon dioxide films grown by plasma enhanced chemical vapor deposition.Microsystem Technologies. |
| MLA | Chen DP,et al."Thermal annealing effects on the stress stability in silicon dioxide films grown by plasma enhanced chemical vapor deposition".Microsystem Technologies (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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