Necessity of resist model in source mask optimization for negative tone development process
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wei YY(韦亚一) ; Dong LS(董立松); Zhao LJ(赵利俊); Chen WH(陈文辉); Ye TC(叶甜春)
|
| 刊名 | J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS
 |
| 出版日期 | 2017-09-13 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18090]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wei YY,Dong LS,Zhao LJ,et al. Necessity of resist model in source mask optimization for negative tone development process[J]. J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS,2017. |
| APA | Wei YY,Dong LS,Zhao LJ,Chen WH,&Ye TC.(2017).Necessity of resist model in source mask optimization for negative tone development process.J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS. |
| MLA | Wei YY,et al."Necessity of resist model in source mask optimization for negative tone development process".J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。