Etch Mechanism Study in Gate Patterning for 14 nm Node and beyond FinFET Devices
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yan J(闫江); Meng LK(孟令款) |
| 刊名 | ECS Journal of Solid State Science and Technology
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| 出版日期 | 2017-01-12 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18094]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yan J,Meng LK. Etch Mechanism Study in Gate Patterning for 14 nm Node and beyond FinFET Devices[J]. ECS Journal of Solid State Science and Technology,2017. |
| APA | 闫江,&孟令款.(2017).Etch Mechanism Study in Gate Patterning for 14 nm Node and beyond FinFET Devices.ECS Journal of Solid State Science and Technology. |
| MLA | 闫江,et al."Etch Mechanism Study in Gate Patterning for 14 nm Node and beyond FinFET Devices".ECS Journal of Solid State Science and Technology (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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