pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhao C(赵超) ; Wang GL(王桂磊); Luo J(罗军); Liu JB(刘金彪); Yang T(杨涛); Xu YF(徐烨峰); Li JF(李俊峰); Yin HX(殷华湘); Yan J(闫江); Zhu HL(朱慧珑)
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| 刊名 | Nanoscale Research Letters
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| 出版日期 | 2017-04-26 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18097]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhao C,Wang GL,Luo J,et al. pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology[J]. Nanoscale Research Letters,2017. |
| APA | Zhao C.,Wang GL.,Luo J.,Liu JB.,Yang T.,...&Henry Homayoun Radamson.(2017).pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology.Nanoscale Research Letters. |
| MLA | Zhao C,et al."pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology".Nanoscale Research Letters (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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