Charge pumping test technique using CMOS ring oscillator on leakage issue
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhao C(赵超) ; Liu YB(刘勇波); Zhu ZY(朱正勇); Zhu HL(朱慧珑); Wan GX(万光星); Li JF(李俊峰)
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| 刊名 | Microelectronics Journal
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| 出版日期 | 2017-08-20 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18116]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhao C,Liu YB,Zhu ZY,et al. Charge pumping test technique using CMOS ring oscillator on leakage issue[J]. Microelectronics Journal,2017. |
| APA | Zhao C,Liu YB,Zhu ZY,Zhu HL,Wan GX,&Li JF.(2017).Charge pumping test technique using CMOS ring oscillator on leakage issue.Microelectronics Journal. |
| MLA | Zhao C,et al."Charge pumping test technique using CMOS ring oscillator on leakage issue".Microelectronics Journal (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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