Influence of Dopants Profile on Random Dopant Fluctuation and Optimization for Bulk FinFET
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wan GX(万光星); Zhu HL(朱慧珑) |
| 刊名 | ECS Journal of Solid State Science and Technology
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| 出版日期 | 2017-05-26 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18131]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wan GX,Zhu HL. Influence of Dopants Profile on Random Dopant Fluctuation and Optimization for Bulk FinFET[J]. ECS Journal of Solid State Science and Technology,2017. |
| APA | 万光星,&朱慧珑.(2017).Influence of Dopants Profile on Random Dopant Fluctuation and Optimization for Bulk FinFET.ECS Journal of Solid State Science and Technology. |
| MLA | 万光星,et al."Influence of Dopants Profile on Random Dopant Fluctuation and Optimization for Bulk FinFET".ECS Journal of Solid State Science and Technology (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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