Hotspots fixing flow in NTD process by using DTCO methodology at 10nm metal 1 layer
文献类型：会议论文
| 作者 | Wei YY(韦亚一) ; Ye TC(叶甜春); Chen Y(陈颖); Lin JX(林佳欣); Dong LS(董立松); Su XJ(苏晓菁)
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| 出版日期 | 2017-02-21 |
| 文献子类 | 会议论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18267]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wei YY,Ye TC,Chen Y,et al. Hotspots fixing flow in NTD process by using DTCO methodology at 10nm metal 1 layer[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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