Low frequency noise characterization of 22nm PMOS featuring with filling W gate using different precursor
文献类型：会议论文
| 作者 | Eddy Simoen ; Wang GL(王桂磊); Luo J(罗军); Zhao C(赵超); Li JF(李俊峰); Liang He; Cor claeys
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| 出版日期 | 2017-03-12 |
| 文献子类 | 会议论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18277]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Eddy Simoen,Wang GL,Luo J,et al. Low frequency noise characterization of 22nm PMOS featuring with filling W gate using different precursor[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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