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石墨烯结构、石墨烯器件及其制造方法

文献类型:专利

作者贾昆鹏; 粟雅娟; 朱慧珑; 赵超
发表日期2018-02-02
专利号CN201410012588.2
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种石墨烯结构、石墨烯器件及其制造方法,石墨烯结构的制造方法包括:提供衬底,所述衬底上具有沟槽;在所述沟槽中沿沟槽方向形成相互间隔的催化剂层;在催化剂层的上端面上生长石墨烯层。通过在沟槽中形成相互间隔的催化剂层,进而在催化剂层的端面上生长石墨烯层,来形成石墨烯条带,尤其适合尺寸更小的纳米带的制备,易大规模集成使用,并易于集成石墨烯器件。

公开日期2015-07-15
申请日期2014-01-10
语种中文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18744]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
贾昆鹏,粟雅娟,朱慧珑,等. 石墨烯结构、石墨烯器件及其制造方法. CN201410012588.2. 2018-02-02.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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