本发明公开了一种混合光学和电子束光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；进行第一光刻/刻蚀，形成第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；进行第二光刻/刻蚀，形成第二硬掩模图形；采用各向异性刻蚀技术，刻蚀结构材料层，形成所需要的光学及电子束线条。依照本发明的混合光学和电子束光刻方法，将同一层次图形按线条大小进行分开处理，大的线条采用光学曝光，而精细图形采用电子束曝光，可以大幅缩减曝光时间，提高产能。