本发明公开了一种堆叠纳米线制造方法，包括：在衬底上形成介质堆叠结构；在介质堆叠结构中刻蚀形成第一沟槽；在介质堆叠结构中、第一沟槽的侧面刻蚀形成第二沟槽；在第一和第二沟槽中外延生长半导体材料；去除介质堆叠结构，留下半导体材料；减薄半导体材料，形成纳米线堆叠。依照本发明的堆叠纳米线制造方法，采用交叠的多层介质材料以利于选择性刻蚀形成纳米线阵列，减少了工艺步骤，降低了成本，提高了器件的可靠性。