本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成假栅极绝缘层和假栅极层构成的假栅极堆叠；在假栅极堆叠两侧的衬底上形成栅极侧墙，其中假栅极绝缘层和栅极侧墙的包含的材料选自氮化硅、非晶碳之一并且相互不同；去除假栅极层，直至暴露假栅极绝缘层；去除假栅极绝缘层，直至暴露衬底，形成栅极沟槽。依照本发明的半导体器件及其制造方法，采用CVD制备的氮化硅作为假栅极绝缘层、以及栅极侧墙包含非晶碳，从而避免了衬底特别是沟道区受到不必要的侵蚀，提高了器件的性能和可靠性。