本发明提供了一种利用间隙壁技术形成栅极的晶体管的制造方法。在本发明的方法中，在第一材料层的侧面，依次形成第一间隙壁、第二间隙壁、第三间隙壁以及第四间隙壁，通过去除第二间隙壁形成了宽度由第二间隙壁控制的栅极凹槽，继而在栅极凹槽中形成所需要的栅极和栅极绝缘层。本发明中，利用回刻蚀形成间隙壁，不需要采用额外的掩模版，并且，通过控制第二间隙壁的宽度来限定栅极宽度，可以实现亚45nm的栅极线条的形成，并且使工艺具有良好的可控性。