本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成假栅极绝缘层和假栅极层；在假栅极层两侧形成衬层；在衬层两侧的衬底上形成栅极侧墙；去除假栅极层，直至暴露假栅极绝缘层；去除假栅极绝缘层，直至暴露衬底，形成栅极沟槽。依照本发明的半导体器件制造方法，采用CVD制备的氮化硅作为假栅极绝缘层、以及假栅极层侧面形成氧化衬层，从而避免了衬底特别是沟道区受到不必要的侵蚀，提高了器件的性能和可靠性。