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半导体器件

文献类型:专利

作者殷华湘; 贾云丛; 袁烽; 陈大鹏
发表日期2018-02-13
专利号CN201410812062.2
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明提供了一种半导体X线探测器及其制造方法和操作方法,将低温TFT集成在硅基二极管阵列中,以形成在片的信号处理和放大电路,这样,可以即时地放大由PIN二极管获取的微弱电信号,抑制噪声,提高灵敏度;同时,通过低温TFT在片放大信号,可以降低铟柱封装引线中的寄生电容的影响;另外,低温TFT的工艺对硅基二极管像素单元的探测灵敏度没有影响,也不影响到后续的铟柱倒装焊的封装工艺。

公开日期2016-07-20
申请日期2014-12-22
语种中文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18761]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
殷华湘,贾云丛,袁烽,等. 半导体器件. CN201410812062.2. 2018-02-13.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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