一种MOS晶体管的制造方法
文献类型:专利
作者 | 刘云飞; 尹海洲![]() |
发表日期 | 2018-03-16 |
专利号 | CN201310713804.1 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供了一种MOS晶体管的制造方法,包括:a.提供半导体衬底,伪栅叠层,侧墙,以及源漏区;b.形成第一层间介质层,其的高度小于伪栅叠层的高度;c.去除所述第一层间介质层位于远离伪栅叠层的两端的部分,形成第一空位;d.在所述第一空位中填充第二层间介质层,其顶部位于第一层间介质层顶部和栅极叠层顶部之间;e.形成第三层间介质层覆盖第一层间介质层和第二层间介质层;f.在所述第三层间介质层中形成暴露出所述第一层间介质层的通孔;g.通过所述通孔去除所述第一层间介质层,形成第二空位;h.形成盖层填充所述通孔。本发明有效地减小了栅极寄生电容,提高了器件性能。 |
公开日期 | 2015-06-24 |
申请日期 | 2013-12-20 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18767] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘云飞,尹海洲,李睿. 一种MOS晶体管的制造方法. CN201310713804.1. 2018-03-16. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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