本发明提供了一种MOSFET制造方法，包括：a.提供衬底、源漏区、伪栅叠层、层间介质层和侧墙；b.去除伪栅叠层形成伪栅空位，并在伪栅空位中的衬底上形成氧化层；c.在所述半导体结构漏端一侧覆盖光刻胶，露出伪栅空位中靠近源端的氧化层；d.对未被光刻胶覆盖的衬底及氧化层进行各向异性刻蚀，形成空位；e.去除光刻胶，在所述空位中淀积跃迁阻挡层，直至所述跃迁阻挡层与氧化层平齐；f.对所述半导体结构进行刻蚀，去除氧化层以露出沟道表面；g.在所述伪栅空位中淀积栅极叠层。根据本发明提供的方法，有效抑制了热载流子效应优化了器件性能。