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自对准形成孔槽、电容的方法及孔槽、电容

文献类型:专利

作者闫江; 赵利川; 李昱东
发表日期2018-04-06
专利号CN201410360940.1
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明提供了一种自对准形成孔槽的方法,包括步骤:提供待刻蚀层;刻蚀待刻蚀层,以形成第一孔槽;进行叠层的淀积,所述叠层至少包括三层材料层,且至少有一层材料层至少相对于其相邻的一材料层具有刻蚀选择性;进行平坦化,直至第一孔槽两侧的待刻蚀层之上的叠层被移除;根据刻蚀选择性,在第一孔槽的深度方向上去除至少一材料层,以形成第二孔槽。本发明可以灵活调节孔槽的尺寸,易于刻蚀、质量高且成本低。

公开日期2016-01-27
申请日期2014-07-25
语种中文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18779]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
闫江,赵利川,李昱东. 自对准形成孔槽、电容的方法及孔槽、电容. CN201410360940.1. 2018-04-06.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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