自对准形成孔槽、电容的方法及孔槽、电容
文献类型:专利
作者 | 闫江![]() ![]() |
发表日期 | 2018-04-06 |
专利号 | CN201410360940.1 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供了一种自对准形成孔槽的方法,包括步骤:提供待刻蚀层;刻蚀待刻蚀层,以形成第一孔槽;进行叠层的淀积,所述叠层至少包括三层材料层,且至少有一层材料层至少相对于其相邻的一材料层具有刻蚀选择性;进行平坦化,直至第一孔槽两侧的待刻蚀层之上的叠层被移除;根据刻蚀选择性,在第一孔槽的深度方向上去除至少一材料层,以形成第二孔槽。本发明可以灵活调节孔槽的尺寸,易于刻蚀、质量高且成本低。 |
公开日期 | 2016-01-27 |
申请日期 | 2014-07-25 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18779] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 闫江,赵利川,李昱东. 自对准形成孔槽、电容的方法及孔槽、电容. CN201410360940.1. 2018-04-06. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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