本发明公开了一种P型MOSFET的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上形成MOSFET的一部分，包括位于半导体衬底中的源/漏区、在半导体衬底上方位于源/漏区之间的假栅叠层、以及围绕假栅叠层的栅极侧墙；去除MOSFET的假栅叠层以形成栅极开口，以暴露半导体衬底的表面；在半导体的暴露表面上形成界面氧化物层；在栅极开口内的界面氧化物层上形成高K栅介质；在高K栅介质上形成第一金属栅层；在第一金属栅层中注入掺杂离子；以及进行退火以使掺杂离子扩散并聚积在高K栅介质与第一金属栅层之间的上界面和高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处，并且在高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处通过界面反应产生电偶极子。