一种沟道替换工艺的监测方法
文献类型:专利
作者 | 崔虎山; 卢一泓![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2018-06-01 |
专利号 | CN201410409029.5 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供一种沟道替换工艺的监测方法,包括:提供外延形成替代沟道后的衬底的质量目标值以及其容差范围;提供具有鳍的衬底,去除鳍以形成开口;在开口中外延形成替代沟道;获得形成替代沟道后的衬底的质量;判断该质量是否在质量目标值的容差范围内。该方法直观、快速并对晶圆没有损伤,适用于量产时对沟道外延工艺的有效监测,以有效控制沟道外延工艺。 |
公开日期 | 2016-02-24 |
申请日期 | 2014-08-19 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18790] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔虎山,卢一泓,赵超,等. 一种沟道替换工艺的监测方法. CN201410409029.5. 2018-06-01. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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