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一种沟道替换工艺的监测方法

文献类型:专利

作者崔虎山; 卢一泓; 赵超; 李俊峰; 杨涛; 王桂磊; 陈韬
发表日期2018-06-01
专利号CN201410409029.5
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

 本发明提供一种沟道替换工艺的监测方法,包括:提供外延形成替代沟道后的衬底的质量目标值以及其容差范围;提供具有鳍的衬底,去除鳍以形成开口;在开口中外延形成替代沟道;获得形成替代沟道后的衬底的质量;判断该质量是否在质量目标值的容差范围内。该方法直观、快速并对晶圆没有损伤,适用于量产时对沟道外延工艺的有效监测,以有效控制沟道外延工艺。

公开日期2016-02-24
申请日期2014-08-19
语种中文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18790]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
崔虎山,卢一泓,赵超,等. 一种沟道替换工艺的监测方法. CN201410409029.5. 2018-06-01.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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