本发明提供了一种半导体器件，包括：第一器件区域和第二器件区域；其中，第一器件区域包括：衬底，所述衬底具有第一半导体材料；第二半导体层，位于衬底之上；第三半导体层，位于第二半导体层之上，为第一器件形成区域；第一隔离结构，位于第三半导体层两侧、衬底之上；第一绝缘层，位于第三半导体层的源漏区域之下、第一隔离结构与第二半导体层端部之间；第二器件区域包括：衬底；衬底之上的第二器件；第二隔离结构，位于第二器件两侧的衬底上。本发明的器件，具有低成本、漏电小、功耗低、速度快、工艺较为简单且集成度高的特点。