一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨涛 ; 卢一泓; 张月; 崔虎山; 李俊峰; 赵超
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| 发表日期 | 2018-06-19 |
| 专利号 | CN201410008441.6 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法，包括：在衬底上形成硬掩膜；刻蚀衬底以形成鳍；去除硬掩膜；填充隔离材料并进行平坦化；刻蚀去除部分厚度的隔离材料，以形成沟槽隔离。在刻蚀衬底形成鳍之后，就去除硬掩膜，避免了在平坦化后进行去除而导致的鳍表面的损伤，保证了鳍的质量，利于提高器件的性能。 |
| 公开日期 | 2015-07-08 |
| 申请日期 | 2014-01-08 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18797]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨涛,卢一泓,张月,等. 一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法. CN201410008441.6. 2018-06-19. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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