本申请公开了一种半导体设置及其制造方法。一示例半导体设置可以包括：衬底；以及在衬底上形成的第一单元半导体器件和第二单元半导体器件。第一单元半导体器件可以包括第一栅堆叠，第二单元半导体器件可以包括第二栅堆叠。第一栅堆叠可以包括第一功函数调节层，第二栅堆叠可以包括第二功函数调节层。第一栅堆叠的栅长可以小于第二栅堆叠的栅长，且第一功函数调节层的厚度可以小于第二功函数调节层的厚度。