本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有鳍，鳍之间形成有隔离；在鳍上形成栅极；去除栅极两端的部分厚度的鳍，以形成下沉区；进行外延生长及原位掺杂，以在下沉区表面上形成具有第一掺杂类型的第一掺杂层，以及填充下沉区的具有第二掺杂类型的源漏延伸区。该方法形成前置的反掺杂区，以产生陡峭的源漏延伸结区，控制源漏延伸区的横向结深，进而更好的控制器件的短沟道效应。该方法可以应用在前栅或后栅工艺中。