提供了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍；在衬底上形成沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个栅极线，每一栅极线经由栅介质层与相应的鳍相交；在栅极线的侧壁上形成电介质侧墙；在鳍的未被栅极线和侧墙覆盖的表面上外延生长半导体层；在衬底上形成晶体半导体层；以及在预定区域处，形成器件间绝缘隔离部，其中至少一条栅极线被相应的绝缘隔离部分为两个或更多部分，且在沿第一方向相对的各对鳍中，至少一对鳍被相应的绝缘隔离部隔离。