半导体器件制造方法
文献类型:专利
作者 | 钟汇才![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2018-07-27 |
专利号 | CN201410748850.X |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供了一种半导体制造方法,采用了TSV模板晶圆与产品晶圆形成三明治结构,其中,TSV模板晶圆中具有分布均匀的TSV结构,用于提供产品晶圆之间的电连接,形成3D互连。TSV模板晶圆由半导体晶圆减薄而得,降低了刻蚀和填充难度;通过在TSV模板晶圆上设置连接部件,便于上下两片产品晶圆的互连,降低了对准难度,并且增加了3D器件电连接设计的便利程度。 |
公开日期 | 2016-07-06 |
申请日期 | 2014-12-09 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18815] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟汇才,赵超,朱慧珑. 半导体器件制造方法. CN201410748850.X. 2018-07-27. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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