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半导体器件制造方法

文献类型:专利

作者钟汇才; 赵超; 朱慧珑
发表日期2018-07-27
专利号CN201410748850.X
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明提供了一种半导体制造方法,采用了TSV模板晶圆与产品晶圆形成三明治结构,其中,TSV模板晶圆中具有分布均匀的TSV结构,用于提供产品晶圆之间的电连接,形成3D互连。TSV模板晶圆由半导体晶圆减薄而得,降低了刻蚀和填充难度;通过在TSV模板晶圆上设置连接部件,便于上下两片产品晶圆的互连,降低了对准难度,并且增加了3D器件电连接设计的便利程度。

公开日期2016-07-06
申请日期2014-12-09
语种中文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18815]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
钟汇才,赵超,朱慧珑. 半导体器件制造方法. CN201410748850.X. 2018-07-27.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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