NAND存储串及其制造方法、3D NAND存储器
文献类型：专利
| 作者 | 李俊锋; 朱慧珑 ; 赵恒亮
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| 发表日期 | 2018-07-31 |
| 专利号 | CN201410540148.4 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 公开了一种与非(NAND)存储串及其制造方法以及包括该NAND存储串的三维(3D)NAND存储器。一示例NAND存储串可以包括：沿串的延伸方向设置的多个存储单元；沿的串延伸方向延伸的背栅结构，包括背栅电极以及绕背栅电极外周设置的背栅介质层，其中，所述多个存储单元各自绕所述所述背栅结构的外周设置。 |
| 公开日期 | 2016-04-20 |
| 申请日期 | 2014-10-14 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18816]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李俊锋,朱慧珑,赵恒亮. NAND存储串及其制造方法、3D NAND存储器. CN201410540148.4. 2018-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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