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一种阻止金属共晶键合合金外溢的方法及一种器件

文献类型:专利

作者张乐民; 云世昌; 焦斌斌; 孔延梅; 刘瑞文; 陈大鹏
发表日期2018-07-31
专利号CN201610228764.5
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种阻止金属共晶键合合金外溢的方法,先在第一器件结构的器件衬底上制作第一键合金属图形,然后基于第一键合金属图形制作器件保护结构;器件保护结构包括第一槽型腔体,第一槽型腔体的底面为第一键合金属图形;然后在第二器件结构上制作出第二键合金属图形之后,在第一槽型腔体中对第一器件结构和第二器件结构进行金属共晶键合。由于器件保护结构包括第一槽型结构,因此在进行金属共晶键合时,可将金属共晶键合时外溢的液相合金流入第一槽型腔体内,会对外溢的液相合金起到阻隔作用,使之无法自由滚动,从而有效避免外溢的液相合金扩散到器件结构区域。此方式不但提高金属键合的气密等级,而且提高了MEMS器件生产制造的良率。

公开日期2016-07-13
申请日期2016-04-13
语种中文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18817]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张乐民,云世昌,焦斌斌,等. 一种阻止金属共晶键合合金外溢的方法及一种器件. CN201610228764.5. 2018-07-31.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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