本发明提供了一种FinFET制造方法，包括：a.提供衬底，并在所述衬底上形成鳍片；b.所述鳍片两侧的衬底上形成隔离层；c.在被所述隔离层覆盖的部分鳍片中形成穿通阻挡层，使所述穿通阻挡层中的杂质浓度峰值所在的位置低于所述隔离层表面；d.对所述隔离层进行刻蚀，使其表面与所述穿通阻挡层杂质浓度峰值所在的位置平齐；e.在所述鳍片两端分别形成源漏区，跨过所述鳍片中部形成栅极结构，并在所述隔离层上方填充层间介质层。通过本发明提供的方法，有效的优化了PTSL分布，提高了器件性能。