本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层，叠层间为隔离沟槽；从第一半导体层的端部去除部分的第一半导体层，以形成开口；填充开口及隔离沟槽，以分别形成第一绝缘层和隔离；在第二半导体层中形成贯通的刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除剩余的第一半导体层，以形成空腔；填充空腔及刻蚀孔，以分别形成第二绝缘层及绝缘孔；进行器件的后续加工。该方法形成了具有埋层的衬底，实现类SOI器件的结构，同时，埋层的厚度可以通过形成的第一半导体层的厚度来调节，满足不同器件的需求，工艺简单易行。