本发明提供了一种FINFET的制造方法，包括：a.提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍片；b.在所述鳍片上方形成伪栅叠层，并在伪栅叠层两侧形成第一侧墙；c.在所述伪栅叠层两侧的鳍片中形成横向源漏扩展区；d.在所述伪栅叠层两侧的鳍片中形成纵向源漏扩展区；e.在所述伪栅叠层两侧形成第二侧墙，在所述第二侧墙两侧的鳍片中形成源漏区；f.在所述鳍片周围的半导体衬底上方形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构包围所述鳍片的下半部分；在所述浅沟槽隔离结构上方形成层间介质层，其顶部与所述伪栅叠层顶部平齐；去除伪栅叠层并形成栅极空位，在所述栅极空位中形成栅极叠层。本发明极大地降低了漏端电场强度，有效增加了器件的击穿电压。