本发明提供了一种FinFET结构及其制造方法，包括：衬底结构，所述沉底结构为SOI衬底；第一鳍片和第二鳍片，所述第一、第二鳍片位于所述衬底结构上方，彼此平行；栅极叠层，覆盖所述衬底结构和部分第一、第二鳍片的侧壁；源区，位于所述第一鳍片未被栅极叠层所覆盖的区域；漏区，位于所述第二鳍片未被栅极叠层所覆盖的区域；侧墙，位于所述第一、第二鳍片两侧，栅极叠层上方，用于隔离源区、漏区和栅极叠层；衬底结构沟道区，所述衬底结构沟道区位于所述衬底结构中靠近上表面的区域中。本发明在现有FinFET工艺的基础上提出了一种新的器件结构，使器件的栅长不受footprint尺寸限制，有效地解决了短沟道效应所带来的问题。